硬X線角度分解光電子放出によるバルク電子構造の調査

GRAY A. X.; GRAY A. X.; PAPP C.; PAPP C.; PAPP C.; UEDA S.; BALKE B.; BALKE B.; BALKE B.; YAMASHITA Y.; PLUCINSKI L.; MINAR J.; BRAUN J.; YLVISAKER E. R.; SCHNEIDER C. M.; PICKETT W. E.; EBERT H.; KOBAYASHI K.; FADLEY C. S.; FADLEY C. S.

文献

J-GLOBAL ID：201102288082577142 整理番号：11A1675298

硬X線角度分解光電子放出によるバルク電子構造の調査

Probing bulk electronic structure with hard X-ray angle-resolved photoemission

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資料名：
巻： 10 号： 10 ページ： 759-764 発行年： 2011年10月
JST資料番号： W1364A ISSN： 1476-1122 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

軟X線角度分解光電子分光によるバルク電子構造研究では,光電子の非弾性平均自由行程が小さく,表面による影響が大きい問題がある。本研究では,3.2および6.0keVのシンクロトロン放射光を励起光として用い,硬X線角度分解光電子分光(HARPES)によるバルク電子構造を評価した。モデル遷移元素としてW試料を,また,広範な応用の可能性を示すためにGaAsを用いた。放射光源としてスプリング8を使用し,エネルギー分解能は250meVで,角度分解能は0.25~0.30°である。波数ベクトル保存に対するフォトン波数ベクトルの影響を調べ,フォノン関与の不鮮明化効果と光電子回折効果を除く手法を開発した。実験データを理論計算と比較した結果,本手法が広く使用可能であることを示した。

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電子分光スペクトル , その他の物理分析

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