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J-GLOBAL ID：201102289111892830   整理番号：11A0168743

金ナノ粒子とSiO₂-HfO₂下部層による不揮発性メモリキャパシタの光学特性

Optical properties of nonvolatile memory capacitors based on gold nanoparticles and SiO₂-HfO₂ sublayers

著者 (10件)： MIKHELASHVILI V. (Dep. of Electrical Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  MEYLER B. (Dep. of Electrical Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  GARBRECHT M. (Dep. of Material Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  YOFIS S. (Dep. of Electrical Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  SALZMAN J. (Dep. of Electrical Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  COHEN-HYAMS T. (Dep. of Material Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  KAPLAN W. D. (Dep. of Material Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  ROIZIN Y. (TowerJazz, P.O. Box 619, Migdal Ha’Emek 23105, ISR) ,  LISIANSKY M. (TowerJazz, P.O. Box 619, Migdal Ha’Emek 23105, ISR) ,  EISENSTEIN G. (Dep. of Electrical Engineering, The Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 2  ページ： 022905  発行年： 2011年01月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最新技術による不揮発性メモリキャパシタの光励起状態の影響について記述する。このデバイスはSiO₂トンネル層とHfO₂ブロッキング層間にサンドイッチされたAuナノ粒子から構成されて7.5nmの実効酸化物厚みを示す。このメモリ特性は非平衡空乏による光励起により変調される。異なる照射波長と同様に可変光強度とパルス幅での光制御を記述した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *金 ,  *ナノ粒子 ,  基板 ,  ケイ素 ,  熱酸化 ,  二酸化ケイ素 ,  酸化膜 ,  絶縁膜 ,  *酸化ハフニウム ,  ブロッキング ,  サンドイッチ構造 ,  白金電極 ,  *MIS構造 ,  膜厚 ,  空乏層 ,  光ポンピング ,  容量電圧特性 ,  応答 ,  漏れ電流 ,  波長 ,  パルス幅 ,  *不揮発性メモリ ,  振幅変調
準シソーラス用語： トンネル絶縁膜 ,  EOT ,  光励起 ,  メモリ窓 ,  光応答 ,  励起波長

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 金ナノ粒子 ,  SiO2 ,  HfO2 ,  下部層 ,  不揮発性メモリ ,  キャパシタ ,  光学特性