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J-GLOBAL ID：201102289215904660   整理番号：11A1791446

追加の不揮発性機能を持つ完全空乏化二重ゲートMSDRAMセル

Fully depleted double-gate MSDRAM cell with additional nonvolatile functionality

著者 (9件)： PARK Ki-heung (Inst. of Microelectronics, Electromagnetism and Photonics (UMR 5130), Grenoble Polytechnic Inst., Minatec, B.P. 257 ...) ,  BAWEDIN Maryline (Inst. of Microelectronics, Electromagnetism and Photonics (UMR 5130), Grenoble Polytechnic Inst., Minatec, B.P. 257 ...) ,  BAWEDIN Maryline (Inst. of Electronics IES (UMR 5214), Univ. of Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex 5, FRA) ,  LEE Jong-ho (School of EECS Engineering and ISRC (Inter-University Res. Center), Seoul National Univ., Gwanak P.O. Box 34, Seoul ...) ,  BAE Young-ho (Inst. of Microelectronics, Electromagnetism and Photonics (UMR 5130), Grenoble Polytechnic Inst., Minatec, B.P. 257 ...) ,  BAE Young-ho (Dep. of Electronics Engineering, Uiduk Univ., Gyeongju 780-713, KOR) ,  NA Kyoung-il (Inst. of Microelectronics, Electromagnetism and Photonics (UMR 5130), Grenoble Polytechnic Inst., Minatec, B.P. 257 ...) ,  LEE Jung-hee (School of Electrical Engineering, Kyungpook National Univ., Daegu 702-701, KOR) ,  CRISTOLOVEANU Sorin (Inst. of Microelectronics, Electromagnetism and Photonics (UMR 5130), Grenoble Polytechnic Inst., Minatec, B.P. 257 ...)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 67  号： 1  ページ： 17-22  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バックゲート(コントロールゲート)でのSONOSストレージノードを特徴とする完全空乏化(FD)二重ゲート(DG)MSDRAMセルを実証した。この準安定ディップ(MSD)ヒステリシス効果に基づく単一トランジスタセルは不揮発性メモリ(NVM)モードでも動作させることができる。このNVM機能性は窒化物ストレージノードへのFowler-Nordheimトンネリング正孔注入によって達成され,注入された正孔はシリコンボディ中に永久反転層を誘起する。提案したデバイスは「1」と「0」状態間の大きな電流比(約10³)と広いメモリウィンドウ(約3V)を示した。NVM機能性のMSDヒステリシスに与える効果も調べ,コントロールゲートバイアスの効果と組み合わせた。SONOS充電を使って,第二ゲートを置換し(すなわち単一ゲートMSDRAMを可能にし),「統一した」メモリ動作を実現した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *DRAM ,  *不揮発性メモリ ,  キャリア注入 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  *MOSFET ,  SOI構造 ,  反転層 ,  電流電圧特性 ,  ヒステリシス ,  埋込み【挿入】 ,  準安定状態
準シソーラス用語： *MSDRAM ,  *SONOSメモリ ,  *フローティングボディ効果 ,  メモリウィンドウ【半導体】 ,  正孔注入 ,  二重ゲート

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 不揮発性 ,  二重ゲート ,  セル