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J-GLOBAL ID：201102289334586308   整理番号：11A0143327

マグネシウム添加非極性窒化インジウム膜からのテラヘルツ放射のバックグラウンドおよび光励起キャリア依存性

Background and Photoexcited Carrier Dependence of Terahertz Radiation from Mg-Doped Nonpolar Indium Nitride Films

著者 (4件)： AHN Hyeyoung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  YEH Yi-Jou (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HONG Yu-Liang (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  GWO Shangjr (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 12  ページ： 122105.1-122105.3  発行年： 2010年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネシウムを添加した非極性(a面)窒化インジウム(a-InN:Mg)からのテラヘルツ波(THz)発生について報告する。マグネシウムを添加した極性(c面)InNからのTHzの振幅と極性はバックグラウンドキャリア密度に依存するが,a-InN:Mgからのp偏光THz場はバックグラウンドキャリアに依存しない強度と極性を持つ。これは,分極によって誘起された面内電場内のキャリア輸送に起因している。a-InN:MgからのTHz場に小さいが明白な方位角依存性が見られることから,2次非線形光学効果の付随的な寄与が存在することが分かった。一方,本研究において,高積層欠陥密度を持つ非極性InNにとって重要である固有の面内電場の寄与は観測されなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *放射線 ,  *光ポンピング ,  *キャリア ,  マグネシウム ,  添加物効果 ,  非線形光学 ,  積層欠陥 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *テラヘルツ放射 ,  光励起 ,  非線形光学効果

分類 (1件)： その他の光デバイス  (BD06060O)

引用文献 (19件)：

• LIU, K. Phys. Rev. B. 2006, 73, 155330
• ASCAZUBI, R. Phys. Rev. B. 2005, 72, 045328
• AHN, H. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 132108
• WILKE, I. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 221113
• CHERN, G. D. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 141115

タイトルに関連する用語 (8件)： マグネシウム ,  非極性 ,  窒化インジウム ,  テラヘルツ放射 ,  バックグラウンド ,  光励起 ,  キャリア ,  依存性