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J-GLOBAL ID：201102289521753048   整理番号：11A0467132

ゾルゲル法によって作製されたナノ構造SiO₂ゲート誘電体を有する高移動度ペンタセンフォトトランジスタ

High-mobility pentacene phototransistor with nanostructured SiO₂ gate dielectric synthesized by sol-gel method

著者 (3件)： OKUR S. (Izmir Inst. of Technol., Izmir, TUR) ,  YAKUPHANOGLU F. (Firat Univ., Elazig, TUR) ,  STATHATOS E. (Technological-Educational Inst. of Patras, Patras, GRC)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 87  号： 4  ページ： 635-640  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゾルゲル法 ,  作製 ,  ナノ構造 ,  SiO2 ,  ゲート誘電体 ,  高移動度