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J-GLOBAL ID：201102290314955593   整理番号：11A0766278

サブバンド間デバイスのための,950°Cでのパルス注入法によるn-タイプGaN層の作製

Fabrication of n-Type GaN Layers by the Pulse Injection Method at 950°C for Intersubband Devices

著者 (5件)： YANG Jung-Seung (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SODABANLU Hassanet (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUGIYAMA Masakazu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANO Yoshiaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMOGAKI Yukihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 14  号： 4  ページ： H143-H145  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化アルミニウム(AlN)/窒化ガリウム(GaN)多重量子井戸中でのサブバンド間遷移を利用することは,それが光学デバイスへ適用できることから近年注目されている。本研究では950°Cでパルス注入法によりサファイア基板上に気相エピタキシー成長させる方法でn-タイプGaN層を作製した。そして,パルス条件,雰囲気などの作製条件と得られたGaN層特性の関連を解析した。パルス間隔,パルス時間を制御することでGaN層中の炭素量を低減させることができた。原料ガスであるトリメチルガリウムの系内での分圧も重要である。トリメチルガリウム分圧がより低い条件下では,GaN層表面に吸着したGa種の移動が容易になるため,層表面の平滑度が増すことをAFMで確認した。ガリウム分圧とキャリア濃度との関係も把握。ガリウム分圧が低くなるにつれてシリコン濃度は増大する。ここではキャリア濃度1.6×10¹⁹cm^-3を達成した。また,高温の1130°Cで気相成長させた場合より光透過特性も向上した。

シソーラス用語： *電子遷移 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  多重量子井戸 ,  光学素子 ,  キャリア注入 ,  MOCVD ,  分圧 ,  原子間力顕微鏡 ,  N型半導体 ,  パルス法 ,  エピタクシー ,  気相成長
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  ガス分圧 ,  *サブバンド間遷移 ,  光学デバイス ,  有機金属気相エピタキシー

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  塩  (CD01050V)

物質索引 (1件)： トリメチルガリウム

タイトルに関連する用語 (6件)： サブバンド ,  パルス ,  注入 ,  タイプ ,  GaN ,  作製