文献

J-GLOBAL ID：201102291179070663   整理番号：11A0467142

MOS構造の硝酸酸化によって調整される低温プロセスAl₂O₃ 誘電体のスタック技術

Stack engineering of low-temperature-processing Al₂O₃ dielectrics prepared by nitric acid oxidation for MOS structure

著者 (2件)： CHEN C.-H. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HWU J.-G. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 87  号： 4  ページ： 686-689  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOS構造 ,  硝酸酸化 ,  低温プロセス ,  Al2O3 ,  誘電体 ,  スタック