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J-GLOBAL ID：201102291287645230   整理番号：11A0912804

誘導結合プラズマにおけるCO/NH₃を使ったMTJ(磁気トンネル接合)層のエッチング

Etching of MTJ (Magnetic Tunnel Junction) layer using CO/NH₃ in an inductively coupled plasma

著者 (5件)： PARK J. Y. (SKKU Advanced Inst. Nano Technol. (SAINT), Gyeonggi-do, KOR) ,  KANG S.-K. (SKKU Advanced Inst. Nano Technol. (SAINT), Gyeonggi-do, KOR) ,  JEON M. H. (SKKU Advanced Inst. Nano Technol. (SAINT), Gyeonggi-do, KOR) ,  YEOM G. Y. (SKKU Advanced Inst. Nano Technol. (SAINT), Gyeonggi-do, KOR) ,  YEOM G. Y. (Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 32nd  ページ： 155-156  発行年： 2010年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *誘導結合プラズマ ,  *プラズマエッチング ,  一酸化炭素 ,  アンモニア ,  *トンネル接合 ,  *磁気抵抗効果 ,  コバルト化合物 ,  鉄化合物 ,  ホウ素化合物 ,  酸化マグネシウム ,  混合気体 ,  加工速度 ,  解離 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 磁気トンネル接合

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 誘導結合プラズマ ,  CO ,  NH3 ,  MTJ ,  磁気トンネル接合 ,  層 ,  エッチング