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J-GLOBAL ID：201102291382223220   整理番号：11A1776618

CaO添加によるBaTiO₃-(Bi_1/2Na_1/2)TiO₃系を用いた鉛フリー半導体セラミックの作製

Fabrication of lead-free semiconducting ceramics using a BaTiO₃-(Bi_1/2Na_1/2)TiO₃ system by adding CaO

著者 (4件)： TATEISHI Takashi (Graduate School of Sci. and Technol., Tokyo Inst. of Technol.) ,  HOSHINA Takuya (Graduate School of Sci. and Technol., Tokyo Inst. of Technol.) ,  TAKEDA Hiroaki (Graduate School of Sci. and Technol., Tokyo Inst. of Technol.) ,  TSURUMI Takaaki (Graduate School of Sci. and Technol., Tokyo Inst. of Technol.)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan  (Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻： 119  号： 1395  ページ： 828-831 (J-STAGE)  発行年： 2011年 
JST資料番号： F0382A  ISSN： 1882-0743  CODEN： JCSJEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 130°C以上で用いる鉛フリーPTC(正抵抗温度係数)サーミスタの候補として,BaTiO₃-(Bi_1/2Na_1/2)TiO₃(BT-BNT)固溶体半導体セラミックをか焼粉末にCaOを添加して合成した。CaO添加BT-BNTセラミックは常温抵抗ρ_RT=10³Ωであり,Curie温度近傍で抵抗が変化する半導体挙動を示した。化学組成解析から,BT-BNTセラミック中のNa⁺の置換によりCa²⁺はドナーとして作用することが示唆された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *サーミスタ ,  材料 ,  環境保全 ,  セラミック ,  半導体 ,  チタン酸バリウム ,  *チタン酸塩 ,  ナトリウム化合物 ,  ビスマス化合物 ,  酸化カルシウム ,  添加物効果 ,  固溶体 ,  温度係数 ,  か焼 ,  電気抵抗 ,  Curie温度 ,  置換 ,  ドナー ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  依存性 ,  誘電率 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 鉛フリー材料 ,  チタン酸ビスマスナトリウム ,  正抵抗温度係数 ,  組成依存性

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

引用文献 (23件)：

• 1) O. Saburi, J. Phys. Soc. Jpn., 14, 1159–1174 (1959).
• 2) G. G. Harman, Phys. Rev., 106, 1358–1359 (1957).
• 3) O. Saburi and K. Wakino, IEEE Trans. Comput., 10, 53–67 (1963).
• 4) M. Nakahara and T. Murakami, J. Appl. Phys., 45, 3795–3800 (1974).
• 5) C. J. Jhonson, Appl. Phys. Lett., 7, 221–223 (1965).

タイトルに関連する用語 (5件)： CaO ,  BaTiO3 ,  鉛フリー ,  セラミック ,  作製