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J-GLOBAL ID：201102291523706866   整理番号：11A0563496

非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタのサブしきい値スイングに及ぼすH₂O双極子の影響

Influence of H₂O Dipole on Subthreshold Swing of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin Film Transistors

著者 (8件)： CHUNG Wan-Fang (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Ting-Chang (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LI Hung-Wei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Chi-Wen (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHEN Yu-Chun (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHEN Shih-Ching (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  TSENG Tseung-Yuen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  TAI Ya-Hsiang (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 14  号： 3  ページ： H114-H116  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル誘導非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタ(a-IGZO TFTs)の背面チャネルに及ぼす水の影響を種々の相対湿度環境で調べた。湿度が0から80%に増加するにつれて,移動度が0.22から0.24cm²/(Vs)に増加し,しきい値電圧は6.6から4.4Vへ減少し,サブしきい値スイングは0.77から1.27V/dec.に変化した。これら3種のパラメータ間の矛盾する現象は,薄膜トランジスタの背面チャネルに吸着し双極子として作用する水分子によるゲート電圧の分割による。湿度が増した場合サブしきい値スイングが大きく劣化する原因を検討した。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *閾値 ,  *水 ,  *双極子 ,  酸化インジウム ,  酸化ガリウム ,  酸化亜鉛 ,  ゾル-ゲル法 ,  相対湿度 ,  電圧 ,  *非晶質
準シソーラス用語： ゲート電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  化学一般その他  (CA01060X)

タイトルに関連する用語 (10件)： 非晶質 ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  サブしきい値 ,  スイング ,  H2O ,  双極子