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J-GLOBAL ID：201102292863331170   整理番号：11A1861899

SiC(0001)上でのエピタキシャル結晶質シリコン-酸窒化物層:理想的なSiC-絶縁体界面の形成

The epitaxial crystalline silicon-oxynitride layer on SiC(0001): Formation of an ideal SiC-insulator interface

著者 (2件)： TOCHIHARA Hiroshi (Fac. of Engineering Sci., Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  SHIRASAWA Tetsuroh (Inst. for Solid State Physics, Univ. of Tokyo, Chiba 277-8581, JPN)
資料名： Progress in Surface Science  (Progress in Surface Science)
巻： 86  号： 11-12  ページ： 295-327  発行年： 2011年12月 
JST資料番号： D0310B  ISSN： 0079-6816  CODEN： PSSFBP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンカーバイト(SiC)は,次世代エレクトロニクスにおいて極めて重要な半導体材料として役に立つ潜在能力をもっている。しかしながら,その実際的な応用のための主な障害は,絶縁材料との高品質界面の調製であった。SiC(0001)表面とのエピタキシャル界面をもつ厚さ0.6-nmのシリコン酸窒化物(SION)層を調製するための方法を発見した。このレビュー論文は,SiON層の原子および電子構造に焦点を合わせた。様々な実験技術および理論的研究に基づき,SiON層が複雑ではあるがしかし独特のヘテロ-二重-層状構造であると推測した:最上のSi₂O₅単層は,Si-O-Si線形架橋結合によって界面Si₂N₃単層へ結合されていた。SiON構造の最も著しい特徴は,ユニットセル中にダングリングボンドがなく,空気曝露に対してそれを著しくロバストにすることであった。SiC(0001)上でのSiONの形成のための安定性およびプロセスを,得られた構造的特徴に基づき議論した。SiONの走査型トンネル顕微鏡法測定は,~9eVのバルクSiO₂-様バンドギャップおよび第一原理計算を示した。元素-特異的軟X線吸収/発光分光法の組み合わせによって,および第一原理計算によって,この様な絶縁薄膜の著しいバンド-ギャップ開口を研究し,Si₂N₃およびSi₂O₅単層が対応するバルク-様値のバンドギャップをもつことを示した。SiONの電子デバイスへの将来有望な応用を議論した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *エピタクシー ,  層状組織 ,  *ケイ素 ,  電子技術 ,  絶縁材料 ,  レビュー ,  ダングリングボンド ,  第一原理 ,  固体素子 ,  表面構造 ,  界面 ,  *ケイ素化合物 ,  *絶縁膜 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 電子デバイス ,  *酸窒化ケイ素

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  エピタキシャル ,  結晶質シリコン ,  酸窒化 ,  物層 ,  絶縁体 ,  界面