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J-GLOBAL ID：201102294343433348   整理番号：11A0787655

半導体BiFeO₃薄膜キャパシタの抵抗記憶

A Resistive Memory in Semiconducting BiFeO₃ Thin-Film Capacitors

著者 (9件)： JIANG An Quan (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  WANG Can (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  JIN Kui Juan (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Xiao Bing (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  SCOTT James F. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  HWANG Cheol Seong (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  TANG Ting Ao (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  LU Hui Bin (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YANG Guo Zhen (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 23  号： 10  ページ： 1277-1281  発行年： 2011年03月11日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ルテニウム酸ストロンチウム下部電極をエピ形成したチタン酸ストロンチウム(100)単結晶基板上に鉄酸ビスマス薄膜をパルスレーザ蒸着により形成した。透過型電子顕微鏡,原子間力顕微鏡およびX線回折によりキャラクタリゼーションを行った。白金上部電極を蒸着して薄膜キャパシタを作製した。極性のスイッチングにより5.4A/cm²の双安定性ダイオード電流を観測した。パルス分極測定によるP-Vヒステリシス曲線および電流のヒステリシス曲線を比較した。>1ケ月の保持時間および高いオンオフ比をもつ強誘電性-抵抗RAMとして利用できる。

シソーラス用語： *FeRAM ,  X線回折 ,  エピタクシー ,  スイッチング ,  ストロンチウム化合物 ,  チタン酸ストロンチウム ,  *ヒステリシス ,  *ビスマス化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  レーザ蒸着 ,  *記憶装置 ,  *強誘電性 ,  極性 ,  原子間力顕微鏡 ,  酸素酸塩 ,  蒸着 ,  図表 ,  *双安定性 ,  単結晶 ,  *鉄酸塩 ,  透過型電子顕微鏡 ,  白金電極 ,  薄膜 ,  比率 ,  分極反転 ,  保持時間 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： P-V線図 ,  オンオフ比 ,  ダイオード特性 ,  *メモリ ,  ルテニウム酸ストロンチウム ,  強誘電体RAM ,  *鉄酸ビスマス

分類 (5件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (2件)： BiFeO3 ,  薄膜キャパシタ