文献

J-GLOBAL ID：201102294382096596   整理番号：11A0476768

3C-SiC(111)/AlN(0001)/Si(100)に関するグラフェンエピタキシャル成長

Epitaxial Graphene Growth on 3C-SiC(111)/AlN(0001)/Si(100)

著者 (6件)： HSIA Benjamin (Univ. California, California, USA) ,  FERRALIS Nicola (Univ. California, California, USA) ,  SENESKY Debbie G. (Univ. California, California, USA) ,  PISANO Albert P. (Univ. California, California, USA) ,  CARRARO Carlo (Univ. California, California, USA) ,  MABOUDIAN Roya (Univ. California, California, USA)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 14  号： 2  ページ： K13-K15  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN/Si(100)基板上の高品質エピタキシャル3C-SiC(111)膜へ数層のグラフェン膜を成長させた。Si基板とSiC薄膜の間にAlNバッファ層を用いることにより格子不整合を減少しSi外部拡散を減少させるためSiC膜の品質を改善する。AlNの存在はSi(100)基板上の六角形状表面3C-SiC(111)上へのグラフェン成長を可能にする。Ramanスペクトル及びAuger電子スペクトルにより,グラフェンの存在を確認し,グラフェンのドメインサイズ及び厚さ(単分子層から数層グラフェン)を評価した。グラフェン膜の品質はSiC(111)/Si(100)上で報告されたものに相当しAlNバッファ層の使用は更に広く用いたSi(100)基板での成長及び黒鉛化源から電気遮蔽層の分離の機会を広げる。

シソーラス用語： 単一層 ,  エピタクシー ,  *炭化ケイ素 ,  *窒化アルミニウム ,  *ケイ素 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  Augerスペクトル ,  Ramanスペクトル ,  バッファ層 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *エピタキシャル成長 ,  Auger電子スペクトル

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3C-SiC ,  AlN ,  Si ,  グラフェン ,  エピタキシャル成長