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J-GLOBAL ID:201102295632350023   整理番号:11A0926815

5.4~9.2GHz 19.5dB相補型金属-酸化物-半導体 超広帯域レシーバー・フロントエンド低騒音アンプ

A 5.4-9.2 GHz 19.5 dB Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Ultrawide-Band Receiver Front-End Low-Noise Amplifier
著者 (5件):
資料名:
巻: 50  号: 4,Issue 2  ページ: 04DE01.1-04DE01.8  発行年: 2011年04月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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この研究で,上部UWBバンド無線通信,すなわち,LNAの前の広帯域50Ω入力整合ネットワークの5.4~9.2GHzバンド幅の超広帯域(UWB)相補的金属-酸化物-半導体(CMOS)低騒音アンプ(LNA)を提示した。4.5~9.2GHz 3dBバンド幅で7.5GHzで23dBまで電圧利得を改善するため高い相互コンダクタンスMOSトランジスタでの3段カスコード-トポロジーに基づくLNAを使用した。5.4~9.2GHz 3dBバンド幅で最大出力S<sub>21</sub>は,7.3GHzで19.5dBであった。入力整合回路を少ない数の受動素子で設計し,4.5~9.2GHzで入力反射係数S<sub>11</sub> -10dB未満となった。LNAの雑音フィギュアは3.5dB程度に低く,入力-注目3次遮断点(IIP3)は,-8dBmであった。LNAは,カスコード・トポロジーにより5~7GHzで出力反射係数S<sub>22</sub>-10dB未満と,良い逆アイソレーション,すなわち,全UWBで<-45 dBのS<sub>12</sub>を有する。180nmCMOS技術を使って,1.8Vの電力供給で56mWの電力を消費するLNAを製作した。この論文で,ホーンアンテナで7GHzのガウシアン単環パルス(GMP)の無線通信と20cmの伝播距離からのLNAを実証した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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増幅回路 

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