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J-GLOBAL ID：201102297023115215   整理番号：11A1418823

MgO界面によるCo₂FeAlホイスラー合金薄膜の垂直磁化

Perpendicular magnetization of Co₂FeAl Heusler alloy films induced by MgO interface

著者 (3件)： 猪俣浩一郎 (物質・材料研究機構) ,  WEN Zhenchao (物質・材料研究機構) ,  介川裕章 (物質・材料研究機構)
資料名： 電気学会マグネティックス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： MAG-11  号： 31-34.36-46  ページ： 45-48  発行年： 2011年08月03日 
JST資料番号： Z0924A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ギガビット級MRAMでは,横揺らぎ耐性の観点から,磁気異方性の大きい垂直磁化を持つMJT(強磁性トンネル接合)が有望視されている。本論では,MgOとCFAホイスラー合金から構成される積層膜を作製し,熱処理温度を最適化することにより,Co₂FeAl(CFA)の垂直磁化を実現した研究について報告した。スパッタ法により,MgO(100)および熱酸化Si基板上にCFA/MgOおよびMgO/CFA積層構造を作製し,磁化曲線を調べた結果を示した。

シソーラス用語： 酸化マグネシウム ,  界面 ,  コバルト合金 ,  鉄合金 ,  アルミニウム合金 ,  ホイスラー合金 ,  *垂直磁化 ,  トンネル接合 ,  多層膜 ,  金属薄膜 ,  熱処理 ,  スパッタリング ,  磁化特性 ,  磁気異方性 ,  磁気記録 ,  *磁気記録材料
準シソーラス用語： 強磁性トンネル接合 ,  磁化曲線

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (15件)：

• (1) H. Ohmori et al: J. Appl. Phys., 103, 07A911 (2008).
• (2) M. Yoshikawa et al.: IEEE Trans. Magn., 44, 2573 (2008).
• (3) K. Nishiyama et al.: Digests of Joint MMM-Intermag Conference, P 1089, (2010).
• (4) K. Yakushiji et al.: Appl. Phys. Exp., 3, 053003 (2010).
• (5) K. Mizunuma et al: Appl. Phys. Exp., 4, 023002 (2011).

タイトルに関連する用語 (5件)： MgO ,  界面 ,  ホイスラー ,  合金薄膜 ,  垂直磁化