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J-GLOBAL ID：201102298270726991   整理番号：11A1828859

ゾル-ゲル法により作製したAg/n-CdO/p-Si MIS構造の容量-電圧及びコンダクタンス-電圧特性

Capacitance-voltage and conductance-voltage characteristics of Ag/n-CdO/p-Si MIS structure prepared by sol-gel method

著者 (3件)： KARATAS S. (Dep. of Physics, Fac. of Sciences and Arts, Univ. of Kahramanmaras Suetcue Imam, 46100 Kahramanmaras, TUR) ,  YAKUPHANOGLU F. (Physics Dep., Fac. of Sci., Firat Univ., Elazig, TUR) ,  AMANULLAH F.m. (Dep. of Physics and Astronomy, Coll. of Sci., King Saud Univ., Riyadh, SAU)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 73  号： 1  ページ： 46-51  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ag/n-CdO/p-Si構造の周波数依存電気的特性を,室温,周波数範囲10KHz~1MHzにおける容量-電圧(C-V)及びコンダクタンス-電圧(G/ω-V)特性を用いて研究した。低周波数における容量の増加を,界面状態の兆候として観測した。界面状態(_ssの存在も,容量-周波数特性におけるピークとして証明した。さらに,直列抵抗の電圧及び周波数依存性を,C-V及びG/ω-V測定から計算し,電圧及び周波数の関数としてプロットした。R_s-Vの分布プロファイルは,低周波数において欠乏領域におけるピークを与え,周波数の上昇とともに消失した。容量-電圧-周波数(C-V-f)及びコンダクタンス-電圧-周波数(G/ω-V-f)測定からの界面状態密度の値を,それぞれ,1.44×10¹⁶~7.59×10₁₂cm^-2eV^-1及び341.49~8.77Ωの範囲で得た。C-V-f及びG/ω-V-f特性は,ダイオードの界面状態密度(N_ss)及び直列抵抗(R_s)がAg/n-CdO/p-Si構造における電気的パラメータに強い影響を及ぼす重要なパラメータであることを確認していること,を得られた結果は示した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MIS構造 ,  *銀 ,  *酸化カドミウム ,  *ケイ素 ,  ゾル-ゲル法 ,  *容量電圧特性 ,  *コンダクタンス ,  *電圧依存性 ,  *周波数依存性
準シソーラス用語： シリコン ,  界面状態 ,  界面状態密度 ,  直列抵抗

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゾル ,  ゲル ,  作製 ,  Ag ,  MIS構造 ,  コンダクタンス ,  電圧特性