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J-GLOBAL ID：201102298311037195   整理番号：11A1558174

モンテカルロ法による金属酸化物ベースのメモリにおける双極性抵抗スイッチングの確率論的モデリング

Stochastic modeling of bipolar resistive switching in metal-oxide based memory by Monte Carlo technique

著者 (3件)： MAKAROV Alexander (Vienna Univ. of Technol., Inst. for Microelectronics, Vienna, AUT) ,  SVERDLOV Viktor (Vienna Univ. of Technol., Inst. for Microelectronics, Vienna, AUT) ,  SELBERHERR Siegfried (Vienna Univ. of Technol., Inst. for Microelectronics, Vienna, AUT)
資料名： Journal of Computational Electronics  (Journal of Computational Electronics)
巻： 9  号： 3-4  ページ： 146-152  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： A1072A  ISSN： 1569-8025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： モンテカルロ法 ,  金属酸化物 ,  抵抗スイッチング ,  モデリング