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J-GLOBAL ID：201102298331002002   整理番号：11A1648281

超低消費電力の純NMOS「能動」負荷論理ゲートを用いたa-IGZO TFTベースRFIDチップの20μW動作

20-μW Operation of an a-IGZO TFT-Based RFID Chip Using Purely NMOS “Active” Load Logic Gates with Ultra-Low-Consumption Power

著者 (5件)： OZAKI H. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAWAMURA T. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  WAKANA H. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAZOE T. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  UCHIYAMA H. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2011  ページ： 54-55  発行年： 2011年 
JST資料番号： W0767A  ISSN： 2158-5601  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板上に非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)を用いたRFIDチップを作製した。1nA程度の低電力論理ゲートと,急峻なオン/オフスイッチングも提案した。このチップに用いられたTFTの総数は1026である。RFIDタグの無線動作,及び商用コイルアンテナからの40mW RF電力による70mm無線動作を立証した。

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,  化合物半導体 ,  *標識 ,  消費電力 ,  NMOS構造 ,  電流電圧特性 ,  論理回路 ,  薄膜 ,  半導体チップ ,  *MOS集積回路
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  *RFIDタグ ,  超低消費電力 ,  非晶質薄膜 ,  論理ゲート

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低消費電力 ,  NMOS ,  論理ゲート ,  IGZO ,  TFT ,  RFID