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J-GLOBAL ID：201102299025850322   整理番号：11A0140693

CMP(化学機械平坦化)に関連するトリブロック共重合体界面活性剤と低κ誘電体表面間の相互作用

Interaction Between Triblock Copolymer Surfactant and Low-κ Dielectric Surfaces Relevant to CMP

著者 (3件)： BUTHKER Joseph W. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  KELEHER Jason J. (Lewis Univ., Illinois, USA) ,  GEWIRTH Andrew A. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 12  ページ： G262-G268  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積回路性能の改良は抵抗-容量(RC)遅延によって制限される。この遅延を低減するために,従来のAl合金配線から,伝導率と耐エレクトロマイグレーション性を改良するCuに置き換えられた。Cu配線の実現は化学機械平坦化(CMP)技術の開発によって可能になった。界面活性剤は,疎水性低k表面の濡れ性を制御し,コロイド研磨粒子を安定化させることによって低k CMPスラリーにおいて重要な役割を果たす。本論では,式[PEO]₁₇[PPO]₆₀[PEO]₁₇の市販非イオントリブロック共重合体界面活性剤P103を調べた。原子間力顕微鏡(AFM)力分光法を用いて,P103および硫酸カリウムと三表面(二つの低k有機ケイ酸塩ガラス(OSG)薄膜とシリカ薄膜)との相互作用を測定した。

シソーラス用語： *化学研磨 ,  トリブロック共重合体 ,  界面活性剤 ,  誘電体 ,  表面 ,  集積回路 ,  アルミニウム合金 ,  配線 ,  電気伝導率 ,  エレクトロマイグレーション ,  銅 ,  疎水性 ,  濡れ ,  コロイド ,  砥粒 ,  スラリー ,  非イオン界面活性剤 ,  原子間力顕微鏡 ,  硫酸カリウム ,  ケイ酸塩ガラス ,  薄膜 ,  二酸化ケイ素 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： シリカ ,  RC遅延 ,  *化学機械平坦化

分類 (1件)： その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (6件)： CMP ,  化学機械平坦化 ,  トリブロック共重合体 ,  界面活性剤 ,  体表面 ,  相互作用