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J-GLOBAL ID：201102299462257690   整理番号：11A0696964

非ドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造使用の利点:量子細線におけるゼロバイアス異常の事例研究

Benefits of using undoped GaAs/AlGaAs heterostructures: A case study of the zero-bias bias anomaly in quantum wires

著者 (7件)： SFIGAKIS F. (Cavendish Lab., Cambridge, GBR) ,  DAS GUPTA K. (Cavendish Lab., Cambridge, GBR) ,  SARKOZY S. (Cavendish Lab., Cambridge, GBR) ,  FARRER I. (Cavendish Lab., Cambridge, GBR) ,  RITCHIE D.A. (Cavendish Lab., Cambridge, GBR) ,  PEPPER M. (Cavendish Lab., Cambridge, GBR) ,  JONES G.A.C. (Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 42  号： 4  ページ： 1200-1204  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドープ ,  GaAs ,  AlGaAs ,  ヘテロ構造 ,  利点 ,  量子細線 ,  バイアス ,  研究