特許
J-GLOBAL ID：201103000006162880
気相エピタキシャル成長方法及び成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
沖川 寛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003761
公開番号（公開出願番号）：特開2000-203991
特許番号：特許第3873498号
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 グローブボックスで基板をセットしたサセプタを反応炉で気相成長させ、成長済のサセプタを冷却してグローブボックスでウェハの取り出しを行う気相エピタキシャル成長方法において、反応炉とグローブボックスとの間に、サセプタを二つ以上収納できる冷却チャンバーを設け、第1のサセプタにセットした基板が反応炉内で気相成長している間に、グローブボックスで基板をセットした第2のサセプタを冷却チャンバーに搬送し、そこで次成長待ちとして待機させておき、前記第1のサセプタでの成長終了後、反応炉の成長済みの第1のサセプタと、冷却チャンバーの成長待ちの第2のサセプタとのサセプタ交換を行い、前記第2のサセプタでの成長中に、成長済みの前記第1のサセプタの冷却、ウェハ取り出し、基板のセットを行い、その第1のサセプタを再び冷却チャンバーに送って次成長待ちとして待機状態におくことを特徴とする気相エピタキシャル成長方法。
IPC (3件)：
C30B 25/08 ( 200 6.01)
, C23C 16/44 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
C30B 25/08
, C23C 16/44 Z
, H01L 21/205
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (10件)
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