特許
J-GLOBAL ID：201103000027593457

半導体装置

発明者：
佐藤 憲

佐藤 憲 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (2件)： 堀 城之 ,  前島 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-163838
公開番号（公開出願番号）：特開2011-018844
出願日： 2009年07月10日
公開日（公表日）： 2011年01月27日
要約：
【課題】GaN基板上において、バッファリークを低減したデバイスを得る。【解決手段】このHEMT素子10においては、基板11としてn-GaN(n型のGaNウェハ)が用いられる。この上に、緩衝層12として、組成pが一定でないノンドープのAlpGa1-pN層が用いられる。緩衝層12上には、半絶縁性GaNからなる電子走行層13、n-AlGaNからなる電子供給層14が順次形成される。この緩衝層12の組成においては、下端側においてp=0(GaN)となった領域(基板接続領域121)が、上端側(電子走行層13側)においてもp=0(GaN)となった領域(能動層接続領域122)が、それぞれ設けられている。これらの領域間には、p=1(AlN)となっている領域(高Al組成領域123)が設けられている。高Al組成領域123の抵抗率は、この緩衝層12中で最も高くなっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性の窒化ガリウム(GaN)基板上に、緩衝層を介して、化学式AlxMyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y<1、ここで、MはIn、Bのうちの1種を少なくとも含む)で表される組成をもつ能動層が形成された構成を具備し、該能動層において前記基板の基板面と平行な方向に電流が流されて動作する半導体装置であって、 前記緩衝層は、 化学式AlpMqGa1-p-qN(0≦p≦1、0≦q≦1、0≦p+q<1)で表される組成をもち、かつ、その厚さ方向において、 前記基板と接する側に形成され、p=q=0である基板接続領域と、 前記能動層と接する側に形成され、p=x、q=yである能動層接続領域と、 前記基板接続領域と前記能動層接続領域との間に形成され、p>xであり、前記基板及び前記能動層よりも高い抵抗率をもつ高Al組成領域と、 を具備する、 ことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
Fターム (22件)：
5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-125913   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-041426   出願人：古河電気工業株式会社
  • 特開昭61-124173
全件表示
審査官引用 (4件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-125913   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-041426   出願人：古河電気工業株式会社
  • 特開昭61-124173
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM