窒素化合物半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-026295
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216671
出願日： 2005年02月02日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：

【課題】放熱性が良好で、且つ、製造コストを抑制することができるとともに、高耐圧で高アバランシェ耐量を有する窒素化合物半導体素子を提供する。【解決手段】p-Si基板101上にp-3C-SiC層102が形成された積層構造が形成され、その上にi-GaN層(チャネル層)103、n-AlGaN層(バリア層)104が形成されている。n-AlGaN層104上には、ソース電極201、ドレイン電極202、及びゲート電極203が形成されている。ソース電極201とドレイン電極202は、n-AlGaN層104とオーミックコンタクトを形成している。ゲート電極203は、n-AlGaN層104とショットキー接合を形成している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

AlxGa1-xN(0≦x≦1)から成る第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成されたn型もしくはノンドープAlyGa1-yN(0≦y≦1、x<y)から成る第2の半導体層と、前記第2の半導体層に電気的に接続されたソース電極と、前記第2の半導体層に電気的に接続されたドレイン電極と、前記第2の半導体層上に形成されたゲート電極を有し、 p型Siから成る第3の半導体層の上にp型3C-SiCから成る第4の半導体層が形成された積層構造上に、前記第1の半導体層が形成されていることを特徴とする窒素化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 F , H01L29/80 U

Fターム (15件)：

5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GB02 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK02 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR06 , 5F102GR09 , 5F102GR11

引用特許：

出願人引用 (1件)

GaN電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-347307 出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-248735 出願人：サンケン電気株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-389510 出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
化合物半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-362401 出願人：株式会社東芝

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