特許
J-GLOBAL ID：201103000243235565
プラズマエッチング方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
亀谷 美明
, 金本 哲男
, 萩原 康司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303422
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127040
特許番号：特許第4381526号
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 気密な処理室内に処理ガスを導入し,前記処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対するプラズマエッチング方法において,
前記処理ガスはCF4とN2とArとの混合ガスから構成され、
前記エッチング対象膜は,上層の有機ポリシロキサン膜及びエッチストッパの役割をする下層のSiO2膜からなり、
前記エッチング対象膜上には、フォトレジスト膜層から成り、所定のパターンを有するエッチングマスクが形成されることを特徴とする,プラズマエッチング方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 301 S
, H01L 21/302 105 A
