特許

J-GLOBAL ID：200903094066339459

半導体装置の製造方法

発明者： 宇野 正一 ,  湯之上 隆 ,  野尻 一男 ,  青木 英雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242686
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068455
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 窒素を含む絶縁膜のサイドエッチを抑制または防止する。【解決手段】 窒化シリコンからなる絶縁膜2cを、CHF3 /O2 /Arガスを用いたプラズマエッチング処理によって除去する際に、Arガスの流量をCHF3 ガスの20倍以上とした。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上に窒素を含む第1の絶縁膜を形成する工程、(b)前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程、(c)前記第2の絶縁膜上にマスキング層を形成する工程、(d)前記マスキング層をマスクとし、かつ、前記第1の絶縁膜をエッチングストッパとして、前記半導体基板に対してエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に、底面から前記第1の絶縁膜が露出する凹部を形成する工程、(e)前記凹部形成後、フロロカーボンガスおよび不活性ガスを含むガス雰囲気中において、前記半導体基板に対してプラズマエッチング処理を施すことにより、前記凹部の底面から露出する第1の絶縁膜を除去する工程を有し、前記不活性ガスの流量を前記フロロカーボンガスの流量の20倍以上としたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/88 B

Fターム (63件)：

5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB23 ,  5F004EB02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX09 ,  5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化シリコン層のエッチング方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-042435   出願人：富士通株式会社
• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-130232   出願人：株式会社日立製作所
• SiO▲2▼に対するSiN膜の選択的エツチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-227185   出願人：住友金属工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-163573   出願人：ソニー株式会社