特許
J-GLOBAL ID：201103000567729072
多数の抵抗性強誘電体メモリセルから成るメモリ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-561620
特許番号：特許第3634751号
出願日： 1999年03月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】それぞれ選択トランジスタ(T)及びメモリコンデンサ(Cferro)からなる多数の抵抗性強誘電体メモリセルから成るメモリ装置であって、前記メモリコンデンサ(Cferro)の1つの電極(PL)は一定のセルプレート電圧におかれ、前記メモリコンデンサ(Cferro)の別の電極(SN)は第1の伝導タイプを有する前記選択トランジスタの第1のゾーン(1)に接続されており、前記メモリコンデンサ(Cferro)は、前記第1の伝導タイプとは正反対の第2の伝導タイプの半導体基板の上に設けられており、前記第1のゾーン(1)は半導体ボディの中に設けられている、多数の抵抗性強誘電体メモリセルから成るメモリ装置において、前記メモリコンデンサ(Cferro)の前記別の電極(SN)は抵抗(R)を介してセルプレート電圧(VPLATTE)が印加される線路(5)に接続されており、該線路は前記第1の伝導タイプの高濃度ドープされたゾーンによって形成されており、抵抗(R)は半導体ボディにおいて絶縁層(FOX)の下のドーピング層によって実現されていることを特徴とする、多数の抵抗性強誘電体メモリセルから成るメモリ装置。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
H01L 27/10 444 B
, H01L 27/10 621 A
