特許

J-GLOBAL ID：201103000701019869

半導体発光装置の製造方法

発明者： 根井 正美 ,  北園 俊郎 ,  大中原 繁壽 ,  前田 俊秀
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-357252
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177158
特許番号：特許第4045710号
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 光透過性の基板の表面に化合物半導体を積層し、前記化合物半導体の表面側にp側及びn側の電極を形成し、前記p側及びn側の電極をサブマウント素子の上に導通搭載し且つ前記基板の裏面側を主光取出し面としたフリップチップ型の半導体発光素子の少なくとも前記基板の主光取出し面を、波長変換用の蛍光物質を含有した光透過性の波長変換層によって被覆した半導体発光装置の製造方法であって、 (1)前記発光素子の基板が上を向く姿勢として前記p側及びn側の電極をそれぞれ基板材の上に導通搭載する工程と、 (2)少なくとも前記基板が上を向いた面として形成される主光取出し面を含めて、前記発光素子の周りを、波長変換用の蛍光物質を含有する樹脂材料によって被膜する工程と、 (3)白色発光の色度を調節するために、前記樹脂材料の上面を前記基板の主光取出し面と平行となるように研磨量を調整しながら研磨する工程と、 (4)前記基板材をダイシングしてサブマウント素子と半導体発光素子との複合化素子とする工程 とを含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/00 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 33/00 N

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-192135   出願人：松下電子工業株式会社
• 発光素子及び発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-315971   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平3-028800
  

審査官引用 (3件)

• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-192135   出願人：松下電子工業株式会社
• 発光素子及び発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-315971   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平3-028800