特許

J-GLOBAL ID：201103001038802690

真空紫外光を用いたCVD半導体製造装置

発明者： 本山 理一 ,  本川 洋右 ,  歳川 清彦 ,  横山 哲郎 ,  宮野 淳一 ,  市木 豊
出願人/特許権者： 宮崎沖電気株式会社 ,  有限会社宮崎マシンデザイン ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260356
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075876
特許番号：特許第3429259号
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 真空紫外光を用いたCVD半導体製造装置において、(a)基板を載置するサセプタと、(b)前記基板に真空紫外光を照射する真空紫外光発生装置と、(c)該真空紫外光発生装置の真空紫外光透過ガラスを保持するとともに、真空の反応室としてのチャンバーと、(d)前記基板に負バイアスを印加させるDCバイアス電源と、(e)該DCバイアス電源に直列に接続される変調電源を設けることを特徴とする真空紫外光を用いたCVD半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/285 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-048831
  
• 特開昭61-189631
  
• 薄膜形成装置および薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-203650   出願人：株式会社東芝