双方向電流阻止機能を有する電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：布施行夫 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066828
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260986
特許番号：特許第3435632号
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】蓄積層がキャリアの通る経路となる電界効果トランジスタであって、第1導電型の第1及び第2ソース/ドレインと、前記第1ソース/ドレインと前記第2ソース/ドレインとの間に位置する第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層の下に形成されたトレンチ構造を有する第1ゲート電極と、前記第1半導体層の上に形成された第2ゲート電極と、前記第1ソース/ドレインと前記第1ゲート電極との間に位置する第1導電型の第2半導体層と、前記第2ソース/ドレインと前記第1ゲート電極との間に位置する第1導電型の第3半導体層と、を備えた、双方向電流阻止機能を有する電界効果トランジスタ。

IPC (1件)：