特許
J-GLOBAL ID：201103002229739634
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065160
特許番号：特許第3065309号
出願日： 1999年03月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 その表面に複数の素子領域が形成された半導体ウエハの、前記複数の素子領域上に突起電極を形成する工程と、前記素子領域間に突起部を形成する工程と、この突起電極および突起部の先端が露出するように前記素子領域を樹脂で封止する工程と、前記突起部を除去する工程と、前記突起部の除去された前記素子領域間において前記半導体ウエハを分割する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/78 L
, H01L 21/78 Q
