特許

J-GLOBAL ID：201103002427572850

研磨装置の調整方法

発明者： 矢島 比呂海 ,  重田 賢一 ,  小島 康寿 ,  井口 幸治
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹花 喜久男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-275262
公開番号（公開出願番号）：特開2001-096457
特許番号：特許第3881478号
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ウエハを支持する平板面を有する平板部及び緩衝材料からなり前記ウエハと前記平板部の平板面との間に介在する緩衝材料層とを備えるウエハ支持部と、前記ウエハ支持部に支持されたウエハに対向して配置される研磨面を有する定盤とを備え、前記ウエハ支持部の平板部及び緩衝材料層は、研磨時に前記ウエハに背圧ガスを導入する背圧ガス導入孔を有し、前記定盤の研磨面と前記ウエハ支持部の緩衝材料層との間に前記ウエハを挟み前記定盤あるいは前記ウエハ支持部の少なくとも一方が移動あるいは回転することにより前記ウエハを研磨する研磨装置の調整方法において、前記緩衝材料層を交換するに際して、前記緩衝材料層に前記平板部に設けられた背圧ガス導入孔の断面積よりも大きい断面積を有する背圧ガス導入孔を予め形成する工程と、この工程により背圧ガス導入孔が形成された前記緩衝材料層を前記平板部にそれぞれの背圧ガス導入孔の位置が一致するように添着する工程と、この工程により前記緩衝材料層が添着された前記平板部に前記ウエハを支持して前記定盤の研磨面上に配置する工程を備えたことを特徴とする研磨装置の調整方法。

IPC (2件)：

B24B 37/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01)

FI (2件)：

B24B 37/04 E ,  H01L 21/304 622 K

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-129135   出願人：株式会社日立製作所