半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 手島勝 , 藤田篤史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394478
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197871
特許番号：特許第4067079号
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板の上に形成され、下部電極、上部電極及びそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜を含む容量素子と、前記上部電極と界面を持つ金属窒化物からなる第1の導電性部材と、前記容量素子を覆うように形成された層間絶縁膜とを備え、前記第1の導電性部材は多結晶体からなり、該多結晶体の結晶粒界は酸化されており、前記第1の導電性部材は、前記上部電極と前記層間絶縁膜との間に設けられ、前記上部電極と前記層間絶縁膜との間の密着性を向上する密着層であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8246 ( 200 6.01) , H01L 27/105 ( 200 6.01) , H01L 21/8242 ( 200 6.01) , H01L 27/108 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (7件)

強誘電体集積回路及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-188826 出願人：日本電気株式会社, シンメトリクスコーポレーション
特開平3-153084
特開平4-093065

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