特許
J-GLOBAL ID：201103002573713148

ECRプラズマを用いた反応性スパッタリングによる金型の離型処理方法

発明者：
西川 雅弘

西川 雅弘 について


出願人/特許権者：
西川 雅弘

西川 雅弘 について


代理人 (1件)： 杉本 丈夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003603
公開番号（公開出願番号）：特開2000-202570
特許番号：特許第4294138号
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 磁場コイルとマイクロ波供給部と窒素ガスと希ガスの混合ガスの供給部とを備えた真空処理槽の内部に、粉体状の固体ボロンターゲットを配設すると共に、前記磁場コイルとマイクロ波供給部からの電磁エネルギーを用いた電子サイクロトロン共鳴法により前記混合ガスを電離して真空処理槽内にECRプラズマを生成し、プラズマイオンによって固体ボロンターゲットからスパッターさせたボロン原子を真空処理槽内に配設した金型の表面に固着推積させ、金型表面に窒化ホウ素皮膜を形成するようにした金型の離型処理方法に於いて、前記希ガスをアルゴンガスに、固体ボロンを高純度の固体ボロンにすると共に、固体ボロンターゲットに高電圧のDCバイアス電圧を印加し、更に金型に少なくともDC300Vのバイアス電圧又は高周波のRFバイアス電圧を印加するようにしたことを特徴とするECRプラズマを用いた反応性スパッタリングによる金型の離型処理方法。
IPC (4件)：
B22C 3/00 ( 200 6.01) ,  B29C 33/38 ( 200 6.01) ,  C23C 14/06 ( 200 6.01) ,  C23C 14/34 ( 200 6.01)
FI (4件)：
B22C 3/00 H ,  B29C 33/38 ,  C23C 14/06 J ,  C23C 14/34 S
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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