特許
J-GLOBAL ID：201103002832669110
半導体圧力センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-285938
公開番号（公開出願番号）：特開2001-108544
特許番号：特許第4281178号
出願日： 1999年10月06日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体よりなるセンサ素子(10)が配設され、樹脂成形された第1のケース(20)と、
この第1のケースから一部が露出するように前記第1のケースにインサート成形されるとともに前記センサ素子と電気的に接続されたリード(30)と、
前記第1のケースに組み付けられて前記センサ素子を覆う第2のケース(40)と、
前記第2のケースに形成され、前記リードの露出部(31)を囲う囲い部(42)とを備え、
前記リードの露出部と前記囲い部とにより、該露出部を外部端子に接続可能なコネクタ部(50)が構成されており、
前記第1のケースと前記第2のケースとは、これら両ケースのどちらか一方に設けられた突起部(25)を、他方に設けられた穴部(47)にはめ込んで係止させることにより、結合されており、
前記突起部(25)は、前記穴部(47)へはめ込まれる方向から徐々に突出度合が大きくなるように、テーパ状に突出しており、
前記リード(30)は、その全体が前記センサ素子(10)と電気的に接続される面内に位置する平板形状となっており、
前記第1のケース(20)には、前記センサ素子(10)へ圧力を導入する圧力導入ポート(21)が設けられており、
前記圧力導入ポート(21)は前記第1及び第2のケース(20、40)のはめ込まれる方向とは直交する方向へ突出しており、前記リード(30)は、前記はめ込まれる方向に沿って配置されていることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 19/14 ( 200 6.01)
, H01L 29/84 ( 200 6.01)
G01L 19/14
, H01L 29/84 B
