特許

J-GLOBAL ID：201103002858183819

地球温暖化係数の低いガスを用いたシリコン酸化膜のエッチング法

発明者： 森川 泰宏 ,  陳 巍 ,  林 俊雄
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (2件)： 浜野 孝雄 ,  平井 輝一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245889
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077084
特許番号：特許第4528388号
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ガスを導入しマイクロ波や高周波によって放電プラズマを形成すると共に、基板電極に高周波電力を印加して基板電極に負の自己バイアスを発生するように構成したエッチング装置を用いて基板電極上に載置された基板を加工するエッチング法において、 エッチングガスとして、地球温暖化係数の低いガスであるHFE-1216(CF3OCF=CF2;GWP<100) とHFC-152a(C2H4F2;GWP=140)との混合ガスを使用し、エッチングガスに対するHFC-152aの添加率を約30〜40%の範囲にしてエッチングすることを特徴とするシリコン酸化膜のエッチング法。

IPC (1件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/302 101 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-042528
  
• ドライエッチングガス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-316543   出願人：工業技術院長, 財団法人機械システム振興協会, 社団法人日本電子機械工業会, 旭硝子株式会社, 関東電化工業株式会社, 昭和電工株式会社, セントラル硝子株式会社, ダイキン工業株式会社, 三井・デュポンフロロケミカル株式会社
• エッチングガスおよびクリーニングガス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-180518   出願人：ダイキン工業株式会社
• 特開昭62-042528