特許
J-GLOBAL ID：201103002923849315
半導体装置及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071914
公開番号（公開出願番号）：特開2000-267128
特許番号：特許第4454713号
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された保護膜と、
前記保護膜上に形成された樹脂膜と、
前記樹脂膜上に形成された透明導電膜と、
前記透明導電膜上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜上に形成された画素電極とを有し、
前記保護膜、前記樹脂膜、前記透明導電膜、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜は、それぞれ重なる領域に開口部を有し、
前記第1の絶縁膜は、前記開口部における前記透明導電膜の側部を覆い、かつ前記樹脂膜に接しており、
前記第2の絶縁膜は、前記開口部の周辺部を含む領域に選択的に設けられており、
前記開口部における前記樹脂膜の側部並びに前記第1の絶縁膜の側部及び上面の一部は、前記第2の絶縁膜に覆われており、
前記画素電極は、前記保護膜、前記樹脂膜、前記透明導電膜、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜に形成された前記開口部を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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