特許

J-GLOBAL ID：201103002937557317

フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子の製造方法

発明者： 鄭 載昌 ,  李 根守 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (2件)： 荒船 博司 ,  荒船 良男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-200816
公開番号（公開出願番号）：特開2002-082440
特許番号：特許第3875519号
出願日： 2001年07月02日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 (a)シクロオレフィン系共単量体が付加重合された反復単位(repeating unit)を含む重合体であるフォトレジスト重合体と、(b)光酸発生剤と、(c)下記式(1)で示される光ラジカル発生剤(photo radical generator)と、(d)有機溶媒を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。 (前記式で、 R1は水素、又は炭素数1〜5のアルキルであり、R2は水素、炭素数1〜5のアルキル、或いはフェニル基であり、R3は水素、炭素数1〜5のアルキル、フェニル基、或いは炭素数1〜5のアルコキシ基である。)

IPC (3件)：

G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/004 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 Z ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-349463
  
• 特開平4-245248
  
• 化学増幅型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-095680   出願人：クラリアントジャパン株式会社