特許

J-GLOBAL ID：201103003025814935

ダイヤモンドpn接合ダイオードおよびその作製方法

発明者： 竹内 大輔 ,  山中 貞則 ,  渡辺 幸志 ,  大串 秀世 ,  長谷川 雅考 ,  小倉 政彦 ,  小林 直人 ,  梶村 皓二
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  科学技術振興事業団
代理人 (2件)： 福田 武通 (外3名) ,  福田 武通 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244883
特許番号：特許第3138705号
出願日： 1999年08月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上に形成したダイヤモンドpn接合ダイオードにおいて、上記基板上に形成したp型ダイヤモンド薄膜層と、上記p型ダイヤモンド薄膜層上に高品質アンドープダイヤモンド薄膜層を形成し、その高品質アンドープダイヤモンド薄膜層に不純物をイオン注入してなるn型ダイヤモンド薄膜層と、を備えることを特徴とするダイヤモンドpn接合ダイオード。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 29/91 F ,  H01L 33/00 A ,  H01L 31/10 A