特許
J-GLOBAL ID:201103003128684266

発光ダイオード装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西山 恵三 (外1名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-113536
公開番号(公開出願番号):特開2000-030872
特許番号:特許第3466954号
出願日: 1999年04月21日
公開日(公表日): 2000年01月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板上に発光ダイオードと非線形素子とを配して構成される発光ダイオード装置において、前記発光ダイオードは、有機化合物層である発光層が陽極と陰極との間に挟持されている構成であり、前記非線形素子は、前記非線形素子の陽極と、前記非線形素子の前記陽極の上に配置されている前記非線形素子の有機化合物層と、前記非線形素子の前記有機化合物層の上に配置されている前記非線形素子の陰極層とから構成されるダイオードであり、前記非線形素子は前記非線形素子の前記陽極と前記非線形素子の前記陰極層との間に印加電圧が印加されることで低抵抗あるいは高抵抗に変化する非線形特性により前記発光ダイオードの発光を制御する素子であることを特徴とする発光ダイオード装置。
IPC (6件):
H05B 33/26 ,  G09F 9/30 335 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (6件):
H05B 33/26 A ,  G09F 9/30 335 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 C ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
引用特許:
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る