特許
J-GLOBAL ID：201103003176903441
バイポ-ラトランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
久原 健太郎
, 内野 則彰
, 木村 信行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-075990
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269232
特許番号：特許第4484979号
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体基板層上にバイポーラトランジスタの一部を形成する工程であって、
前記半導体基板層の上側表面上の第1の領域に第2導電型の不純物を選択的にドーピングする工程と、
前記第2導電型の不純物をドーピングした前記第1の領域の上側表面上の第2の領域に、第1導電型の不純物をドーピングする工程と、
前記半導体基板層にドーピングされた第2導電型の不純物と、前記第2の領域にドーピングされた第1導電型の不純物を、前記半導体基板中に拡散させる工程と、
前記半導体基板層上の前記上側表面上に第2導電型のエピタキシャル成長層を形成する工程と、を含み、
前記第2導電型の不純物が選択的にドーピングされる前記第1の領域は、前記第1の領域内の内側に、前記第2導電型の不純物がドーピングされない第3の領域を有し、前記第2導電型の不純物がドーピングされる第4の領域が、前記第3の領域を囲むように形成されており、前記第3の領域は後の工程で形成される前記バイポーラトランジスタのエミッタ領域の真下の領域から、コレクタ電極領域の真下にかけて形成されることを特徴とするバイポ-ラトランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/331 ( 200 6.01)
, H01L 29/73 ( 200 6.01)
, H01L 21/8249 ( 200 6.01)
, H01L 27/06 ( 200 6.01)
H01L 29/72
, H01L 27/06 321 B
