特許
J-GLOBAL ID:201103003197414750
吸音機構
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
岩田 享完
, 岩田 敏
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-033287
公開番号(公開出願番号):特開2002-235304
特許番号:特許第3957128号
出願日: 2001年02月09日
公開日(公表日): 2002年08月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 吸音材料と該吸音材料の背後の空間とを備えた吸音機構であって、
前記空間を下記の式により求められる仕切り幅で仕切ることにより、入射角45度における吸音率が部分的に低下する大きな落ち込みであるディップを存在させ、このディップ部分の周波数であるディップ周波数の生成によって斜入射成分の低周波数域での吸音率を向上させることを特徴とする吸音機構。
式 f=(C/W)/(1+sin45°)
f:前記空間の奥行きから測定又はシミュレーションによって求められる垂直入射吸音率のピーク周波数より低域側における吸音率75%以上の範囲の周波数領域から選択された任意の周波数
C:音速
W:仕切り幅(mm)
IPC (3件):
E01F 8/00 ( 200 6.01)
, G10K 11/16 ( 200 6.01)
, E04B 1/86 ( 200 6.01)
FI (3件):
E01F 8/00
, G10K 11/16 D
, E04B 1/86 K
引用特許:
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