特許
J-GLOBAL ID:201103003414169239
ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 順三 (外1名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-322987
公開番号(公開出願番号):特開2001-210686
特許番号:特許第3502034号
出願日: 2000年10月23日
公開日(公表日): 2001年08月03日
請求項(抜粋):
【請求項1】 セラミック基板の表面にチャックトップ導体層が形成されるとともに、前記セラミック基板の底面または内部に発熱体を有してなり、半導体ウエハのプロービングを行なうためのウエハプローバであって、前記セラミック基板は80〜5100ppmの炭素を含有していることを特徴とするウエハプローバ。
IPC (7件):
H01L 21/66
, G01R 1/06
, G01R 1/073
, G01R 31/26
, G01R 31/28
, H01L 21/68
, H05B 3/10
FI (8件):
H01L 21/66 B
, G01R 1/06 F
, G01R 1/073 E
, G01R 31/26 H
, G01R 31/26 J
, H01L 21/68 N
, H05B 3/10 C
, G01R 31/28 K
引用特許:
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