特許
J-GLOBAL ID：201103003517193766
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077671
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277512
特許番号：特許第3630222号
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】電気的絶縁被膜として感光性ポリイミド膜を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上にアルミニウム膜を形成する工程と、該アルミニウム膜上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、該アモルファスシリコン膜上に感光性ポリイミド膜を形成する工程と、該感光性ポリイミドをパターンニングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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