半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204880
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036074
特許番号：特許第4186318号
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】トレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板に形成したトレンチにゲート酸化膜を形成し、前記トレンチをポリシリコンで充填する工程と、前記半導体基板上および前記ポリシリコン上にスクリーン酸化膜を形成する工程と、該スクリーン酸化膜を介して不純物原子をイオン注入し、拡散し、ソース領域を形成する工程と、前記スクリーン酸化膜上にCVD(Chemical VaporDeposition)法でCVD酸化膜を形成する工程と、ボロン・リン添加ガラス(BPSG)膜を前記CVD酸化膜上に形成する工程と、前記BPSG膜に、前記CVD酸化膜を残して前記ソース領域とソース電極を固着するコンタクトホールを開口する工程と、前記BPSG膜を窒素・酸素混合雰囲気中で熱処理を行い、前記BPSG膜のコンタクトホール縁を丸めるBPSGリフロー工程と、前記コンタクトホールの前記CVD酸化膜および前記スクリーン酸化膜を除去して前記ソース領域を露出する工程と、前記ソース領域表面に形成されたダメージ層を除去する工程と、前記コンタクトホールの前記ソース領域上に前記ソース電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 21/768 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 658 F , H01L 21/90 C , H01L 21/28 L

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-153525
特開平2-153525
特開昭62-076548

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