特許

J-GLOBAL ID：201103003755939334

基板処理装置および基板処理方法

発明者： 谷山 智志
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (2件)： 小林 茂 ,  和泉 良彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-269681
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077850
特許番号：特許第4509439号
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】内部の基板処理領域で基板を処理する反応管と、 上記反応管の開口を閉塞する蓋体と、 上記反応管と上記蓋体との間に設けられた気密シール部材と、 上記気密シール部材を冷却する冷却手段と、 上記反応管内の上記基板処理領域より下方に設けられ、原料が載置される原料昇華部と、 上記反応管内に設けられ、上記原料の近傍で、上記原料を加熱して昇華するための昇華用ヒータと、 上記反応管内にキャリアガスを供給するガス供給口と、 上記反応管内と上記ガス供給口との間であって、上記反応管の下部に構成される障壁部と、 上記障壁部と上記蓋体との間であって、上記気密シール部材よりも内側であるとともに上記原料昇華部よりも下方に設けられ、上記ガス供給口と上記反応管内とを連通させるスリットと、を有する基板処理装置。

IPC (1件)：

H01L 21/22 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/22 511 S

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-010721
  
• 半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-222532   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 特開平2-010721
  
• 半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-222532   出願人：株式会社東芝