特許

J-GLOBAL ID：201103003768159168

半導体装置

発明者： 羽多野 正亮 ,  臼井 孝公
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086383
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274162
特許番号：特許第3651765号
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板の主表面側に設けられ、配線層を構成するCu膜と、 少なくとも前記Cu膜上に設けられ、前記Cu膜上に形成されたTaN膜及びこのTaN膜上に形成されたTa膜を有し、前記TaN膜の膜厚が20nm以上である中間層と、 前記Ta膜上に形成され、パッド層となるAl膜と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (5件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 A ,  H01L 23/52 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-182813   出願人：株式会社日立製作所
• 埋め込み構造、埋め込み構造の形成方法、埋め込み構造を有する半導体装置、及び該半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-143524   出願人：ソニー株式会社