特許
J-GLOBAL ID：200903064995728439

半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

発明者：
齋藤 達之

齋藤 達之 について

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野口 純司

野口 純司 について

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山口 日出

山口 日出 について

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大和田 伸郎

大和田 伸郎 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182813
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135630
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 埋込配線構造を有する半導体集積回路装置において、高度な技術を用いることなく、埋込配線用の導体膜を良好に埋め込む。【解決手段】 半導体集積回路装置であって、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線と、銅または銅合金からなる配線とを接続する場合には、それらの接続部にバリア導体膜またはプラグを介在させる。配線層のうちの最上の配線層の配線材料をアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成し、その下層の配線層における配線を銅または銅合金で構成する。また、最下層の配線を銅または銅合金以外の、例えば微細加工が可能で、かつ、低抵抗、高エレクトロマイグレーション(EM)耐性を持つタングステンからなる導電材料で構成する。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路装置の製造方法であって、(a)前記半導体基板の上層の絶縁膜に接続孔を穿孔する工程と、(b)前記絶縁膜上に、前記接続孔を埋め込むように接続用の導体膜を形成する工程と、(c)前記接続用の導体膜の形成工程後、前記接続用の導体膜に対して平坦化処理を施して接続孔内以外の接続用の導体膜を除去することにより、前記接続孔内に接続用導体部を形成する工程と、(d)前記接続用導体部を形成した後の絶縁膜の配線形成領域に配線用溝を形成する工程と、(e)前記絶縁膜上に、前記配線用溝を埋め込むように配線用の導体膜を形成する工程と、(f)前記配線用の導体膜の形成工程後、前記配線用の導体膜に対して平坦化処理を施して配線用溝内以外の配線用の導体膜を除去することにより、前記配線用溝内に埋込配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/88 B
引用特許：
審査官引用 (8件)
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