特許
J-GLOBAL ID：201103003815532891
光半導体素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-213388
公開番号（公開出願番号）：特開2011-064793
出願日： 2009年09月15日
公開日（公表日）： 2011年03月31日
要約：
【課題】特性の低下を回避しながら高次横モードの励振を抑制することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の領域11内のコア層17及び第2の領域12内のコア層17は、光の伝搬方向に連続して延びている。第1の領域11には、コア層17の側面を露出する第1の突起部が形成され、第2の領域12には、コア層17の側面の少なくとも一部を露出する第2の突起部が形成されている。第1の突起部の底部は、コア層17の下面よりも下方に位置し、第2の突起部の底部は、第1の突起部の底部よりも上方に位置する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
光の伝搬方向の第1の領域に位置する第1の下部クラッド層と、
前記光の伝搬方向の第2の領域に位置する第2の下部クラッド層と、
前記第1の下部クラッド層上方に形成された第1のコア層と、
前記第2の下部クラッド層上方に形成された第2のコア層と、
前記第1のコア層及び前記第2のコア層上方に形成された上部クラッド層と、
を有し、
前記第1のコア層及び前記第2のコア層は、前記光の伝搬方向に連続して延びており、
前記第1の領域には、前記第1のコア層の側面を露出する第1の突起部が形成され、
前記第2の領域には、前記第2のコア層の側面の少なくとも一部を露出する第2の突起部が形成され、
前記第1の突起部の底部は、前記第1及び第2のコア層の下面よりも下方に位置し、
前記第2の突起部の底部は、前記第1の突起部の底部よりも上方に位置することを特徴とする光半導体素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
2H147AB04
, 2H147BA05
, 2H147BB02
, 2H147BB09
, 2H147BE13
, 2H147BE14
, 2H147BE15
, 2H147EA12A
, 2H147EA12B
, 2H147EA14D
, 2H147FA04
, 2H147FA08
, 2H147FC05
, 2H147GA25
