特許
J-GLOBAL ID:201103003871626262
半導体集積回路の設計方法および半導体集積回路の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (7件):
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-261018
公開番号(公開出願番号):特開2001-085528
特許番号:特許第3647686号
出願日: 1999年09月14日
公開日(公表日): 2001年03月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体集積回路を構成する、1つの機能をまとめた回路を設けた標準セルと配線パターンを設けた配線セルのセル・ライブラリデータ及び前記回路間の接続関係を示す結線データが記述された回路接続情報を入力する工程と、 前記回路接続情報に従って複数の前記標準セルを選択し、配置する工程と、 前記回路接続情報に従って前記配置された標準セル間に前記配線セルを配置する工程と、 前記配置された標準セルおよび配線セルから前記半導体集積回路のレイアウト・パターンを生成する工程 とを含むことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
IPC (2件):
FI (4件):
H01L 21/82 B
, G06F 17/50 654 K
, G06F 17/50 658 E
, G06F 17/50 658 N
引用特許:
前のページに戻る