多孔性グラファイトるつぼを使用するシリカ顆粒の処理方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：川口義雄 , 伏見直哉 , 田中夏夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206168
公開番号（公開出願番号）：特開2000-103628
特許番号：特許第4381512号
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】相互に凝集したシリカスート粒子からなるシリカ顆粒を処理する方法であり、顆粒(13)が、塩素含有化合物と混合された不活性ガスからなるガス状の混合物を含む炉(1)内のるつぼ(11)に配置され、温度が摂氏1000度から1500度の範囲内にある方法であって、多孔性グラファイトからなるるつぼが使用されることを特徴とする方法。

IPC (1件)：